- 创新的TMR技术以无漂移的耐用性、更长的电池寿命和卓越的感应分辨率全面提升游戏体验
德国慕尼黑,纽伦堡和中国张家港2024年11月12日 /美通社/ -- 专注于隧道磁阻(TMR)技术的磁传感器领先制造商多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT)在Electronica和SPS展会上正式推出了开创性的TMR2615/TMR2617传感器芯片系列。这些尖端产品凭借卓越性能和创新特点,突破了传统游戏手柄传感器的性能局限,为用户带来了更加流畅、耐久和高效的游戏体验。
TMR2615/TMR2617传感器芯片系列基于MDT自主研发的TMR技术,结合可编程ASIC,支持面向特定应用场景的定制化参数设定。这种设计确保了大规模生产中的高一致性和卓越性能,完美适配于游戏手柄中的摇杆和触发按键的多样化需求。
面向消费电子领域的突破性技术
与传统的碳膜或霍尔效应传感器相比,MDT的TMR传感器具有显著优势:
- 无磨损、无漂移:非接触式设计确保耐久性和性能的稳定性。
- 低功耗设计:功耗低于0.3mA,是霍尔效应传感器的1/10至1/5,显著延长了电池的寿命。
- 高精度与快速响应:高信噪比与大动态范围带来更顺畅的游戏控制体验。
- 卓越的温度稳定性:在各种操作环境下性能表现始终如一。
TMR2615采用紧凑的DFN封装(2x2x0.55mm和1.6x1.6x0.5mm)。TMR2617可作为霍尔效应传感器的直接替代方案,与标准SOT23-3封装兼容,简化硬件升级。
成功上市与积极反馈
自2024年初上市以来,TMR2615/TMR2617迅速赢得市场青睐并实现量产。多家知名制造商已将其广泛应用于新一代游戏手柄产品中。以下来自国际市场的行业评价充分证明了它们的价值:
展望未来:多维科技的新目标
目前,TMR2615/TMR2617系列已实现大批量供货。多维科技计划将TMR技术扩展至更多消费电子应用领域,如磁控游戏键盘和鼠标滚轮。此外,MDT也推出了集成X/Y轴感应的双轴TMR传感器原型,进一步推动用户体验的全面升级。
请联系 sales@dowayusa.com 或光临MDT即将参展的展会:
- Electronica:德国慕尼黑电子展,展位号B3-540/2(11月12日-15日)
- SPS:德国纽伦堡工业自动化展,展位号4A-513(11月12日-14日)